CHIP-NOVA原位透射電鏡力-熱系統(tǒng)解決方案及應(yīng)用案例（一）

更新時(shí)間：2022-05-12 點(diǎn)擊次數(shù)：4187

力-熱系統(tǒng)

系統(tǒng)組成

圖1

技術(shù)指標(biāo)

力-熱樣品臺(tái)

高精度力學(xué)傳感芯片

加熱芯片

高精度控溫模塊

三維運(yùn)動(dòng)控制模塊

力學(xué)數(shù)據(jù)采集及計(jì)算模塊

力學(xué)測(cè)試：壓縮、拉伸、恒定力、恒位移

設(shè)備工作流程

圖2

圖2視頻

測(cè)試前，利用FIB將樣品焊接加熱芯片端，將金剛石焊接在力學(xué)傳感端，力學(xué)測(cè)試過(guò)程中，加熱芯片跟隨運(yùn)動(dòng)控制模塊向前運(yùn)動(dòng)，并力學(xué)傳感芯片接觸受力，樣品在加熱條件下發(fā)生壓縮或拉伸。

力學(xué)傳感器

圖片1.png

圖3

技術(shù)指標(biāo)

20uN，k=7(nN/nm)

85uN, k=29(nN/nm)

150uN，k=50(nN/nm)

500uN, k=169(nN/nm)

1000uN, k=400(nN/nm)

運(yùn)動(dòng)控制模塊

圖4

技術(shù)指標(biāo)
運(yùn)動(dòng)控制：粗調(diào)+細(xì)調(diào)
控制方式：xyz三軸定量運(yùn)動(dòng)控制
粗調(diào)量程：±2 mm（精度100nm）
細(xì)調(diào)量程：X/8 μm，Y、Z/10 μm（精度0.2nm）
力學(xué)測(cè)試精度：優(yōu)于10nN
支持實(shí)時(shí)獲取力-位移曲線(xiàn)
力學(xué)測(cè)試模式：壓縮、拉伸、恒定力、恒位移

高溫加熱模塊

圖5

技術(shù)指標(biāo)
兩電極反饋控溫
絕對(duì)溫標(biāo)設(shè)計(jì)，消除系統(tǒng)誤差
RT-400℃， RT-800℃（任選）
控溫精度：0.01℃
溫度均勻性：優(yōu)于99.5%
支持FIB制樣
芯片可重復(fù)使用

技術(shù)參數(shù)

項(xiàng)目		力學(xué)系列
最大載荷		1000μN(yùn)
力學(xué)測(cè)量精度		優(yōu)于10 nN（在40 μN(yùn)最大載荷時(shí)）
力學(xué)測(cè)試模式		壓縮、拉伸、恒定力、恒位移（可實(shí)時(shí)獲取應(yīng)力-應(yīng)變曲線(xiàn)）
三維運(yùn)動(dòng)	粗調(diào)范圍	±2 mm
	粗調(diào)精度	100nm
	細(xì)調(diào)	X/8 μm，Y、Z/10 μm
	細(xì)調(diào)精度	0.2nm
熱	溫度范圍	RT-400 ℃、RT-800 ℃（任選）
	控溫方式	兩電極反饋控溫
	溫度穩(wěn)定性	≤0.01 ℃
	溫度均勻性	＞99.5%
適用電鏡		FEI, JEOL, Hitachi